Summary
온도, 압력, 유량, 기화 장치의 정밀 제어로 원자층 박막 증착을 수행하는 장비
Process Performance & Productivity
- Wafer Type: 12" (300mm)
- Cassette Type: Foup
- Flat Zone: 500mm
- Process: High-k ALD (단일막, 복합막, 다성분계 유전막증착)
- Process Material: N2, O3, ZrO2, HfO2, H2O2, TMA
- Process Temperature: 200 ~ 350 °C
- Variable Pitch: 6.6 ~ 10mm
- Moving System: WTR, FTR, FIMS, Loadport
- Option: Dry Pump, Plasma, O3 Generator, Scrubber
